ウェハプロセス
エッチング装置
片面エッチング装置（CWEP-）
- 本装置は、未処理のウェハ（キャリア）をローダにセットすると、ロボットによりロードポイントへロードします。
- 各処理部は、エッチング、純水リンス、スピン乾燥で構成されます。
- 処理は、特殊チャックによる枚葉処理です。処理後は、ロボットによりアンローダの非接触キャリアに収納します。
特長
- ウェハ端面までの確実なエッチングを行います。
- 薬液は、温調、循環ろ過されます。
- ローダ、アンローダは、各複数のキャリアを装備しています。
バーチカル・エッチング装置（CWVEP-）
- 本装置は、未処理のウェハ（キャリア）をローダにセットすると、ロボットによりロードポイントへロードします。
- 各処理部は、Etchチャンバと純水リンス、スピン乾燥チャンバで構成されます。
- 処理は、バーチカル枚葉処理です。処理後は、ロボットによりアンローダのキャリアに収納します。
特長
- 薬液は、温調、循環ろ過され、純水リンスは混入されません。
- ロード、アンロードは、同一キャリアを用います。
- コンパクトな構造でフットプリントは、最小です。
- ウェハ表面の多少のパーチクル等吹き飛ばしてしまうシャワ・エッチングを行います。
デファレンシャル・スピン・エッチング装置（CWDSEP-）
- 本装置は、未処理のウェハ（キャリア）をローダにセットすると、ロボットにより処理部へロードします。
- 各処理は、減圧特殊チャンバ内でEtch、純水リンス、スピン乾燥を行います。
- 処理は、バーチカル枚葉処理です。処理後は、ロボットによりアンローダのキャリアに収納します。
特長
- 特殊チャンバ処理により外チャンバからの再付着がありません。
- 薬液は、温調、循環ろ過され、純水リンスは混入されません。
- ロード、アンロードは、同一キャリアを用います。
- 減圧下での低速スピン処理で、薄物大口径に最適です。
ケミカル・ステーション（CWCS-）
- 本装置は、未処理のウェハをローダにセットすると、トラバーサにより上面をチャックし各処理部へロードします。
- 各処理部は、無機処理（酸-Etch、BHF-Etch、メガソニックリンス）、有機処理（剥離）、スピン乾燥で構成されます。
- 処理は、水平枚葉処理です。処理後は、アンローダに収納します。
特長
- ウェハ片面の確実な処理を行います。
- 薬液は、温調、循環ろ過されます。
- コンパクトな構造でフットプリントは、最小です。
- 実験等の欲張りな処理に最適です。
洗浄装置
ポストCMPクリーナ（CPCC-）
- 本装置は、CMP後のウェハがロード・ポイントにセットされると、ロボットにより処理部へロードします。
- 各処理は、薬液シャワ、両面スクラブ、純水シャワリンス、スピン乾燥を行います。
- 処理は、バーチカル枚葉処理です。処理後は、ロボットによりアンローダのキャリアに収納します。
特長
- 各処理は、ウェハのバーチカル揺動回転処理のため両面の確実な洗浄を行います。
- CMPと連結することにより無駄のないプロセス、コンパクトな構造によりフットプリントを最小化できます。
両面スクラバ
お客様のご希望により公開しておりません。
